MSI G41M4-F User Guide - Page 96

для предзаряда ROw aDDrEss STrObE RaS. Если выделяется недостаточное

Page 96 highlights

tRCD DRAM Timing Mode в [Manual DRAM RAS CAS DRAM. tRP DRAM Timing Mode в [Manual Row Address Strobe (RAS RAS DRAM DRAM. tRAS DRAM Timing Mode в [Manual RAS tRTP DRAM Timing Mode в [Manual tRFC DRAM Timing Mode в [Manual RFC tWR DRAM Timing Mode в [Manual tRRD DRAM Timing Mode в [Manual tWTR DRAM Timing Mode в [Manual Write Data In и Read Command Delay DDR. FSB/DRAM Ratio FSB 96

  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 7
  • 8
  • 9
  • 10
  • 11
  • 12
  • 13
  • 14
  • 15
  • 16
  • 17
  • 18
  • 19
  • 20
  • 21
  • 22
  • 23
  • 24
  • 25
  • 26
  • 27
  • 28
  • 29
  • 30
  • 31
  • 32
  • 33
  • 34
  • 35
  • 36
  • 37
  • 38
  • 39
  • 40
  • 41
  • 42
  • 43
  • 44
  • 45
  • 46
  • 47
  • 48
  • 49
  • 50
  • 51
  • 52
  • 53
  • 54
  • 55
  • 56
  • 57
  • 58
  • 59
  • 60
  • 61
  • 62
  • 63
  • 64
  • 65
  • 66
  • 67
  • 68
  • 69
  • 70
  • 71
  • 72
  • 73
  • 74
  • 75
  • 76
  • 77
  • 78
  • 79
  • 80
  • 81
  • 82
  • 83
  • 84
  • 85
  • 86
  • 87
  • 88
  • 89
  • 90
  • 91
  • 92
  • 93
  • 94
  • 95
  • 96
  • 97
  • 98
  • 99
  • 100
  • 101
  • 102
  • 103
  • 104
  • 105
  • 106
  • 107
  • 108
  • 109
  • 110
  • 111
  • 112
  • 113
  • 114
  • 115
  • 116
  • 117
  • 118
  • 119
  • 120
  • 121
  • 122
  • 123
  • 124
  • 125
  • 126
  • 127
  • 128
  • 129
  • 130
  • 131
  • 132
  • 133
  • 134
  • 135
  • 136
  • 137
  • 138
  • 139
  • 140
  • 141
  • 142
  • 143
  • 144
  • 145
  • 146
  • 147
  • 148
  • 149
  • 150
  • 151
  • 152
  • 153

96
и началом ее выполнения.
TRCd
При установке dRaM tImINg MODE в [MANUAl], этот пункт становится
доступным. При регенерации заряда dRaM, строки и столбцы адресуются
раздельно. Этот пункт позволяет вам определить время перехода от RaS
(строб адреса строки) к CaS (строб адреса столбца). Чем меньше тактов,
тем быстрее работа dRaM.
TRP
При установке dRaM tImINg MODE в [MANUAl], этот пункт становится
доступным. Этот пункт контролирует количество тактов, предоставляемых
для предзаряда ROw aDDrEss STrObE (RaS). Если выделяется недостаточное
время для того, чтобы RaS набрал необходимый заряд, регенерация
dRaM может оказаться неполной и привести к потере данных. Этот пункт
применим, только когда в системе установлена синхронная dRaM.
TRaS
При установке dRaM tImINg MODE в [MANUAl], этот пункт становится
доступным. Эта установка определяет время, которое RaS затрачивает
на чтение и запись в ячейку памяти.
TRtP
При установке dRaM tImINg MODE в [MANUAl], этот пункт становится
доступным. Временный интервал между командами чтения и предзаряда.
TRFC
При установке dRaM tImINg MODE в [MANUAl], этот пункт становится
доступным. Эта установка определяет время, которое RFC затрачивает
на чтение и запись в ячейку памяти.
TWR
При установке dRaM tImINg MODE в [MANUAl], этот пункт становится
доступным. Эта установка определяет временную задержку (в тактах
генератора), которая выполняется между завершением действительной
операции
записи
и
предзарядом
активного
банка.
Эта
задержка
необходима, чтобы гарантировать, что данные в буферах записи успеют
попасть в ячейки памяти до предзаряда.
TRRd
При установке dRaM tImINg MODE в [MANUAl], этот пункт становится
доступным. Он определяет задержку от активного к активному состоянию
для разных банков.
TWtR
При установке dRaM tImINg MODE в [MANUAl], этот пункт становится
доступным. Этот пункт контролирует задержку между WrITE dATA iN и READ
COmmAND dElAY. Она определяет минимальное количество тактов, которое
должно пройти между последней действительной операцией записи и
следующей командой чтения для одного и того же банка устройства ddR.
FSB/dRaM RATIO
Этот пункт позволяет регулировать коэффициент между частотами FSB и
памятью.