MSI G41M4 User Guide - Page 132

aDjUsT PCi-e FrEQUENcY MHz 調整 PCi-e 頻率, FSB/dRaM RATIO FSB / 記憶體倍頻比率

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tRP Manual RAS tRAS Manual RAS tRTP Manual tRFC Manual RFC tWR Manual tRRD Manual active-to-active tWTR Manual DDR FSB/DRAM Ratio (FSB FSB Adjusted DRAM Frequency (MHz Adjust PCI-E Frequency (MHz) (調整 PCI-E PCI-E 頻率。 Auto Disable DRAM/PCI Frequency PCI Enabled EMI)。 Spread Spectrum EMI EMI Disabled EMI Enabled 注意事項 132

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±²2
TRP
將「記憶體時序模式」設為手動 [MANUAl] 時，可調整本欄位。本項控制列位址
(RaS)預充電的時脈。若未累積足夠時間，讓列位址在記憶體更新之前預充電，
更新可能會不完全，且記憶體可能漏失資料。本項僅適用於系統安裝同步動態
隨機存取記憶體時。
TRaS
將「記憶體時序模式」設為手動 [MANUAl] 時，可調整本欄位。本項指定 RaS
由讀取到寫入記憶體所需時間。
TRtP
將「記憶體時序模式」設為手動 [MANUAl] 時，可調整本欄位。讀取到預充電間
的時間差。
TRFC
將「記憶體時序模式」設為手動 [MANUAl] 時，可調整本欄位。本項指定 RFC
由讀取記憶體到寫入記憶體所需時間。
TWR
將「記憶體時序模式」設為手動 [MANUAl] 時，可調整本欄位。本項指定在有效
寫入結束後到預充電指令開始間的延遲時間(以時脈計)。本延遲時間確保在寫入
緩衝內的資料，可於預充電前被寫入記憶體。
TRRd
將「記憶體時序模式」設為手動 [MANUAl] 時，可調整本欄位。本項設定不同記
憶體間的 AcTIvE-TO-AcTIvE 延遲時間。
TWtR
將「記憶體時序模式」設為手動 [MANUAl] 時，可調整本欄位。本項設定資料寫
入到讀取指令延遲時間。本項包括在上次有效寫入到下次讀取指令到相同 ddR
裝置內部記憶體間產生的最小時脈數。
FSB/dRaM RATIO (FSB / 記憶體倍頻比率)
本項可調整 FSB 的倍頻比率到記憶體。
aDjUsTED dRaM FrEQUENcY (MHz) (調整後記憶體頻率)
本項顯示調整後記憶體的頻率。唯讀。
aDjUsT PCi-e FrEQUENcY (MHz) (調整 PCi-e 頻率)
本項設定 PCi-e 頻率。
aUTO dIsAblE dRaM/PCi FrEQUENcY (自動關閉記憶體/ PCi 頻率)
設為開啟[eNAblED]，系統會從空出的插槽移除(關閉)時脈，以減少電磁波干擾
(eMi)。
SprEAD SpEcTrUm (頻譜擴散)
主機板的時脈產生器開展到最大時，脈衝的極大值突波，會引起電磁波干擾
(eMi)。頻譜擴散功能，可藉由調節脈衝以減少 eMi 的問題。若無電磁波干擾的問
題，請將本項目設為關閉 [dIsAblED]，以達到較佳的系統穩定性及效能。若要符合
eMi 規範，請選擇開啟 [eNAblED]，以減少電磁波。切記，如需進行超頻，請務必
將本功能關閉，因為即使是些微的劇波，均足以引起時脈速度的增快，進而使超
頻中的處理器被鎖定。
注意事項