MSI H61M User Guide - Page 147
本項設定 TWCL WriTe CAS LaTencY 時序
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MS-7788 tRP RAS tRAS T RAS tRFC RFC tWR sense amplifier tWTR tRRD active-to-active tRTP tFAW tFAW (four activate window delay) 時序。 tWCL tWCL (Write CAS Latency) 時序。 tCKE tRTL Advanced Channel 1/ 2 Timing Configuration 按下
±47
MS-7788
TRp
本項控制列位址(RAS)預充電的時脈。若未累積足夠時間,讓列位址在記憶體更
新之前預充電,更新可能會不完全,且記憶體可能漏失資料。本項僅適用於系
統安裝同步動態隨機存取記憶體時。
TRAS
t本項指定 RAS 由讀取到寫入記憶體所需時間。
TRFC
本項指定 RFC 由讀取記憶體到寫入記憶體所需時間。
TWR
本項是寫入資料結束到預充電指令開始間的最短間距。本項透過感覺放大器
(sense amPlifier)回復資料。
TWtR
本項是寫入資料脈衝結束到列讀取指令開始間的最短時間。輸出入閘道會先驅
動感覺放大器,再開始讀取指令。
TRRD
本項設定不同記憶體分組之間 (acTive-To-acTive) 的延遲時脈。
TRtp
本項設定讀取到預充電間的間隔時間。
TFAW
本項設定 TFAW (four acTivaTe window delaY) 時序。
TWCL
本項設定 TWCL (WriTe CAS LaTencY) 時序。
TCKE
本項設定記憶體模組的脈波寬度。
TRtL
本項設定往返延遲。
Advanced Channel ±/ 2 timing ConfiguraTion
按下 <EnTer> 鍵以進入子選單。接著可在各個通道設定進階記憶體時序。
Gt OverClocking
本項開啓或關閉內建圖形處理器超頻。
Gt RaTio
本項控制內建圖形處理器頻率倍頻比率在不同頻率組合下執行。