MSI H61M User Guide - Page 86

Wählen Sie aus, ob DRAM-timing durch das SpD Serial presence DeTecT EE

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EIST Die erhöhte Intel SpeedStep Technologie erlaubt Ihnen, den Leistungsgrad des Mikroprozessors einzustellen, ob der Computer auf Wechselstrom läuft. Dieses Figur erscheint, nachdem Sie das CPU anbringen, das Speedstep Technologie stützen. Intel Turbo Boost Das Untermenü erscheint, wenn Sie eine CPU anbringen, die die Intel Turbo Boost Technologie unterstützt. Hier können Sie die Intel Turbo Boost Technologie aktivieren/ deaktivieren. Die Prozessorfrequenz kann dynamisch erhöht werden, wenn Anwendungen mehr Leistung verlangen und genügend Reserven zur maximalen Leistungsaufnahme bestehen. Die Leistung kann dynamisch erhöht oder reduziert werden (Dynamically scale up, Speed-Step Down). OC Genie Hier können Sie die Funktion der OC-Genie aktivieren/ deaktivieren. DRAM Frequency Hier können Sie die Speicher-Frequenz angeben. Adjusted DRAM Frequency Zeigt die Speicherfrequenz an. Nur Anzeige - keine Änderung möglich. Extreme Memory Profile (X.M.P) Hier können Sie das Intel Extreme-Memory-Profile (X.M.P.) zu aktivieren/ deaktivieren, wenn OC Genie gestartet wird. Für weitere Informationen beziehen Sie in offizielle Website des Intel. DRAM Timing Mode Wählen Sie aus, ob DRAM-Timing durch das SPD (Serial Presence Detect) EEPROM auf dem DRAM-Modul gesteuert wird. Die Einstellung [Auto] ermöglicht die automatische Erkennung des DRAM timings und der folgenden "Advance DRAM Configuration" Untermenü durch das BIOS auf Basis der Einstellungen im SPD. Das Vorwählen [Link or Unlink] eingestellt, können Sie den DRAM Timing und die folgenden "Advance DRAM Configuration" Untermenü anpassen. Advanced DRAM Configuration Drücken Sie die Eingabetaste , um das Untermenü aufzurufen. In diesem Untermenü können Sie die erweiterten DRAM-Timing anpassen. Command Rate Legt die DRAM Kommandorate fest. tCL Hier wird die Verzögerung (CAS-Timing) in Taktzyklen eingestellt, bevor das SDRAM einen Lesebefehl nach dessen Erhalt ausführt. tRCD Wenn DRAM erneuert wird, werden Reihen und Spalten separat adressiert. Dies gestattet es, die Anzahl der Zyklen und der Verzögerung einzustellen, die zwischen den CAS und RAS Abtastsignalen liegen, die verwendet werden, wenn der DRAM beschrieben, ausgelesen oder aufgefrischt wird. Eine hohe Geschwindigkeit führt zu höherer Leistung, während langsamere Geschwindigkeiten einen stabileren Betrieb bieten. 86

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EISt
Die erhöhTe InTel SPeedSTeP technologie erlaubT Ihnen, den LeisTungsgrad des
MikroProzessors einzusTellen, ob der ComPuTer auf WechselsTrom läufT. Dieses
Figur erscheinT, nachdem Sie das CpU anbringen, das SPeedsTeP technologie
sTüTzen.
InTel turbo BoosT
Das UnTermenü erscheinT, wenn Sie eine CpU anbringen, die die InTel turbo
BoosT technologie unTersTüTzT. Hier können Sie die InTel turbo BoosT technologie
akTivieren/ deakTivieren. Die prozessorfrequenz kann dYnamisch erhöhT werden,
wenn Anwendungen mehr LeisTung verlangen und genügend Reserven zur maxi-
malen LeisTungsaufnahme besTehen. Die LeisTung kann dYnamisch erhöhT oder
reduzierT werden (DYnamicallY scale uP, SPeed-STeP Down).
OC Genie
Hier können Sie die FunkTion der OC-Genie akTivieren/ deakTivieren.
DRAM FrequencY
Hier können Sie die SPeicher-Frequenz angeben.
AdjusTed DRAM FrequencY
ZeigT die SPeicherfrequenz an. Nur Anzeige – keine Änderung möglich.
ExTreme MemorY profile (X.M.p)
Hier können Sie das InTel ExTreme-MemorY-profile (X.M.p.) zu akTivieren/ deakTiv-
ieren, wenn OC Genie gesTarTeT wird. Für weiTere InformaTionen beziehen Sie in
offizielle WebsiTe des InTel.
DRAM timing Mode
Wählen Sie aus, ob DRAM-timing durch das SpD (Serial presence DeTecT) EE-
pROM auf dem DRAM-Modul gesTeuerT wird. Die EinsTellung [AuTo] ermöglichT die
auTomaTische Erkennung des DRAM Timings und der folgenden “Advance DRAM
ConfiguraTion” UnTermenü durch das BIOS auf Basis der EinsTellungen im SpD.
Das Vorwählen [Link or Unlink] eingesTellT, können Sie den DRAM timing und die
folgenden “Advance DRAM ConfiguraTion” UnTermenü anPassen.
Advanced DRAM ConfiguraTion
Drücken Sie die EingabeTasTe <EnTer>, um das UnTermenü aufzurufen. In diesem
UnTermenü können Sie die erweiTerTen DRAM-timing anPassen.
Command RaTe
LegT die DRAM KommandoraTe fesT.
TCL
Hier wird die Verzögerung (CAS-timing) in takTzYklen eingesTellT, bevor das
SDRAM einen Lesebefehl nach dessen ErhalT ausführT.
TRCD
Wenn DRAM erneuerT wird, werden Reihen und SPalTen seParaT adressierT.
Dies gesTaTTeT es, die Anzahl der ZYklen und der Verzögerung einzusTellen,
die zwischen den CAS und RAS AbTasTsignalen liegen, die verwendeT werden,
wenn der DRAM beschrieben, ausgelesen oder aufgefrischT wird. Eine hohe
GeschwindigkeiT führT zu höherer LeisTung, während langsamere Geschwindig-
keiTen einen sTabileren BeTrieb bieTen.