MSI 790XT User Guide - Page 135
предоставляемых для предзаряда Row Address Strobe RAS. Если выделяется
 |
View all MSI 790XT manuals
Add to My Manuals
Save this manual to your list of manuals |
Page 135 highlights
▶ CAS Latency (CL DRAM Timing Mode в [DCT 0], [DCT1] или [Both CAS SDRAM ▶ tRCD DRAM Timing Mode в [DCT 0], [DCT1] или [Both DRAM RAS CAS DRAM. ▶ tRP DRAM Timing Mode в [DCT 0], [DCT1] или [Both Row Address Strobe (RAS RAS DRAM DRAM. ▶ tRAS DRAM Timing Mode в [DCT 0], [DCT1] или [Both RAS ▶ tRTP DRAM Timing Mode в [DCT 0], [DCT1] или [Both ▶ tRC DRAM Timing Mode в [DCT 0], [DCT1] или [Both ▶ tWR DRAM Timing Mode в [DCT 0], [DCT1] или [Both ▶ tRRD DRAM Timing Mode в [DCT 0], [DCT1] или [Both Ru-29
-
1 -
2
-
3
-
4
-
5
-
6
-
7
-
8
-
9
-
10
-
11
-
12
-
13
-
14
-
15
-
16
-
17
-
18
-
19
-
20
-
21
-
22
-
23
-
24
-
25
-
26
-
27
-
28
-
29
-
30
-
31
-
32
-
33
-
34
-
35
-
36
-
37
-
38
-
39
-
40
-
41
-
42
-
43
-
44
-
45
-
46
-
47
-
48
-
49
-
50
-
51
-
52
-
53
-
54
-
55
-
56
-
57
-
58
-
59
-
60
-
61
-
62
-
63
-
64
-
65
-
66
-
67
-
68
-
69
-
70
-
71
-
72
-
73
-
74
-
75
-
76
-
77
-
78
-
79
-
80
-
81
-
82
-
83
-
84
-
85
-
86
-
87
-
88
-
89
-
90
-
91
-
92
-
93
-
94
-
95
-
96
-
97
-
98
-
99
-
100
-
101
-
102
-
103
-
104
-
105
-
106
-
107
-
108
-
109
-
110
-
111
-
112
-
113
-
114
-
115
-
116
-
117
-
118
-
119
-
120
-
121
-
122
-
123
-
124
-
125
-
126
-
127
-
128
-
129
-
130 -
131 -
132 -
133 -
134 -
135 -
136 -
137 -
138
 |
 |
Ru-29
Русский
CAS Latency (CL)
При установе DRAM T±m±ng Mode в [DCT 0], [DCT1] или [Both], этот пункт
становится доступным. Он контролирует время задержки CAS, которое
определяет период (в тактах генератора) между получением SDRAM команды
чтения и началом ее выполнения.
tRCD
При установе DRAM T±m±ng Mode в [DCT 0], [DCT1] или [Both], этот пункт
становится доступным. При регенерации заряда DRAM, строки и столбцы
адресуются раздельно. Этот пункт позволяет вам определить время перехода
от RAS (строб адреса строки) к CAS (строб адреса столбца). Чем меньше
тактов, тем быстрее работа DRAM.
tRP
При установе DRAM T±m±ng Mode в [DCT 0], [DCT1] или [Both], этот пункт
становится
доступным.
Этот
пункт
контролирует
количество
тактов,
предоставляемых для предзаряда Row Address Strobe (RAS). Если выделяется
недостаточное время для того, чтобы RAS набрал необходимый заряд,
регенерация DRAM может оказаться неполной и привести к потере данных.
Этот пункт применим, только когда в системе установлена синхронная память
DRAM.
tRAS
При установе DRAM T±m±ng Mode в [DCT 0], [DCT1] или [Both], этот пункт
становится доступным. Эта установка определяет время, которое RAS
затрачивает на чтение и запись в ячейку памяти.
tRTP
При установе DRAM T±m±ng Mode в [DCT 0], [DCT1] или [Both], этот пункт
становится доступным. Этот пункт контроллирует временный интервал между
командами чтения и предзаряда.
tRC
При установе DRAM T±m±ng Mode в [DCT 0], [DCT1] или [Both], этот пункт
становится доступным. Длительность цикла для строк определяет минимальное
количество тактов, которое тратится на полный цикл строки памяти, от
активации строки до предзаряда активной строки.
tWR
При установе DRAM T±m±ng Mode в [DCT 0], [DCT1] или [Both], этот пункт
становится доступным. Эта установка определяет временную задержку (в
тактах генератора), которая выполняется между завершением действительной
операции записи и предзарядом активного банка. Эта задержка необходима,
чтобы гарантировать, что данные в буферах записи успеют попасть в ячейки
памяти до предзаряда.
tRRD
При установе DRAM T±m±ng Mode в [DCT 0], [DCT1] или [Both], этот пункт
становится доступным. Он определяет задержку от активного к активному
состоянию для разных банков.
▶
▶
▶
▶
▶
▶
▶
▶