MSI A55M User Guide - Page 127
此项用来设置 TWCL WriTe CAS LaTencY 时序。
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Page 127 highlights
MS-7786 tRAS RAS tRC tRTP tWR tRRD Specifies the active-to-active delay of different banks. tWTR I/O tRFC0/ 1 RFC0/1 tWCL tWCL (Write CAS Latency) 时序。 tFAW tFAW (four activate window delay) 时序。 tREF tREF (refresh rate) 时序。 Advanced Channel 1/ 2 Timing Configuration 按
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MS-7786
TRAS
此设置决定了 RAS 由读取到写入内存所需时间。
TRC
行周期时间决定了完成一个完整的循环所需的最小周期数，也就是从行激活到
行充电的时间
TRtP
此项指定读指令和预充电之间的时间间隔。
TWR
最后一次写操作和下一次开始预充电操作之间的最小时间间隔，允许感觉线路
恢复核心数据。
TRRD
Specifies THe acTive-To-acTive delaY of differenT banks.
TWtR
最后一次有效写操作和下一次开始读操作之间的最小时间间隔。允许I/O在读命
令开始前超速感觉线路。
TRFC0/ ±
此项设置决定了 RFC0/± 从存储单元读取和写入所花费的时间。
TWCL
此项用来设置 TWCL (WriTe CAS LaTencY) 时序。
TFAW
此项用来设置 TFAW (four acTivaTe window delaY) 时序。
TREF
此项用来设置 TREF (refresH raTe) 时序。
Advanced CHannel ±/ 2 timing ConfiguraTion
按 <EnTer> 进入子菜单。并且你可以为每个通道设置高级内存时序。
TRWtt0/ TWRRD/ TWRWR/ TRDRD
此项用来为通道 ±/ 2 设置内存时序。
Bank InTerleaving
对提升内存超频性能来说，存储器组交错是一个重要参数。它允许系统同时存
取多个存储器组。
DRAM VolTage
此选项用来调整内存电压。