MSI A55M User Guide - Page 67

MS-7786 tRAS L'article détermine le temps que le RAS prend pour lire ou écrire une cellule de mémoire. tRC Le temps de cycle détermine le nombre minimum de cycles d'horloge qu'un rang de mémoire prend pour compléter un cycle entier de l'activation du rang jusqu'au précharge du rang activé. tRTP L'intervalle de temps entre un ordre de lecture et un ordre de pré-charge. tWR L'intervalle de temps minimum entre la fin d'apparition d'écriture de données et le début de l'ordre de précharge. Permet aux amplificateurs sensitifs de restaurer les données aux cellules. tRRD Spécifie le délai actif-à-actif des différentes banques. tWTR L'intervalle de temps minimum entre la fin d'apparition d'écriture de données et le début de l'ordre de pré-charge. Permet au pont I/O de faire sur-fonctionner l'amplificateur sensitif avant qu'un ordre de lecture commence. tRFC0/ 1 Ces réglages détermine le temps que RFC0/1 prend pour lire ou écrire une cellule de mémoire. tWCL Cet article sert à régler le timing tWCL (Write CAS Latency). tFAW Cet article sert à régler le timing tFAW (délai de quatre fenêtres activées). tREF Ce menu sert à régler le timing tREF (taux de rafraîchissement). Advanced Channel 1/ 2 Timing Configuration Appuyez sur pour entrer dans le sous-menu. Et vous pouvez régler le timing de mémoire avancé pour chaque canal. tRWTT0/ tWRRD/ tWRWR/ tRDRD Ces menus servent à régler le timing de mémoire pour canal 1/ 2 de la mémoire. Bank Interleaving Bank Interleaving est un paramètre important pour améliorer la capacité d'overclocking de la mémoire. Il permet au système d'accéder à multiples banques simultanément. DRAM Voltage Ce menu sert à ajuster la tension de la mémoire. 67