MSI A55M User Guide - Page 147
本項設定 TWCL WriTe CAS LaTencY 時序。
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Page 147 highlights
MS-7786 tRAS RAS tRC tRTP tWR sense amplifier tRRD active-to-active tWTR tRFC0/ 1 RFC0/1 tWCL tWCL (Write CAS Latency) 時序。 tFAW tFAW (four activate window delay) 時序。 tREF tREF (refresh rate) 時序。 Advanced Channel 1/ 2 Timing Configuration 按下
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MS-7786
TRAS
本項指定 RAS 由讀取到寫入記憶體所需時間。
TRC
本項是記憶體由列活化到預充電整個所需的最小週期。
TRtP
本項設定讀取到預充電間的間隔時間。
TWR
本項是寫入資料結束到預充電指令開始間的最短間距。本項透過感覺放大器
(sense amplifier)回復資料。
TRRD
本項設定不同記憶體分組之間 (acTive-To-acTive) 的延遲時脈。
TWtR
本項是寫入資料脈衝結束到列讀取指令開始間的最短時間。輸出入閘道會先驅
動感覺放大器，再開始讀取指令。
TRFC0/ ±
本項決定 RFC0/± 由記憶體讀取及寫入記憶體所需時間。
TWCL
本項設定 TWCL (WriTe CAS LaTencY) 時序。
TFAW
本項設定 TFAW (four acTivaTe window delaY) 時序。
TREF
本項設定 TREF (refresH raTe) 時序。
Advanced CHannel ±/ 2 timing ConfiguraTion
按下 <EnTer> 鍵以進入子選單。接著可在各個通道設定進階記憶體時序。
TRWtt0/ TWRRD/ TWRWR/ TRDRD
這些選項設定記憶體通道 ±/ 2 的記憶體時序。
Bank InTerleaving
本項是在記憶體超頻時提升效能的重要參數，可讓系統同時於不同記憶體分組
之間作存取。
DRAM VolTage
本項設定記憶體電壓。